| 型号：TNPW25122K32BETG | 类别：芯片电阻 - 表面安装 | 制造商：Vishay Dale |
| 封装：2512（6432 公制） | 描述：RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512 | |
详细参数
| 类别 | 芯片电阻 - 表面安装 |
|---|---|
| 描述 | RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512 |
| 系列 | TNPW |
| 制造商 | Vishay Dale |
| 电阻（Ω） | 2.32k |
| 功率（W） | 0.5W，1/2W |
| 成分 | 薄膜 |
| 特性 | - |
| 温度系数 | ±25ppm/°C |
| 容差 | ±0.1% |
| 封装/外壳 | 2512（6432 公制） |
| 供应商器件封装 | 2512 |
| 大小/尺寸 | 0.248" L x 0.122" W（6.30mm x 3.10mm） |
| 高度 | 0.030"（0.75mm） |
| 端子数 | 2 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
TNPW25122K32BETG相关型号
- TNPW25122K26BEEG
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FET - 阵列
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- USR 2-0808 15K OHM D 0.01% 1PPM
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径向
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RES 2.26K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TNPW1210820RBEEA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210（3225 公制）
RES 820 OHM 1/3W 0.1% 1210
- URS1H330MDD
电容器
Nichicon
径向，Can
CAP ALUM 33UF 50V 20% RADIAL
- TPCA8056-H,LQ(M
FET - 单
Toshiba
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV
- TPC8A01(TE12L,Q)
FET - 阵列
Toshiba
8-SOIC（0.173＂，4.40mm 宽）
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP
- USR 2-0808 2K OHM D 0.01% 1PPM
通孔电阻器
Riedon
径向
RES 2.0KOHM .6W .01% FOIL RADIAL
- URZ0J222MHD
电容器
Nichicon
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1210（3225 公制）
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- URZ0J330MDD
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- URS1J220MDD
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- USR 2-0808 500 OHM D 0.01% 1PPM
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RES 2.40K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TNPW121086K6BEEN
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- URZ1H470MDD
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径向，Can
CAP ALUM 47UF 50V 20% RADIAL
- URU1J221MHD
电容器
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径向，Can
CAP ALUM 220UF 63V 20% RADIAL
- TPCC8009,LQ(O
FET - 单
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8-VDFN 裸露焊盘
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